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■ 安定化電源回路

オーディオ用の安定化電源とリップルフィルタの回路です。

　

■ パワー MOS FETによる安定化電源回路

■ トランジスタによる安定化電源回路

■ パワー MOS FETによるリップルフィルタ

■ トランジスタによるリップルフィルタ

■ パワー MOS FETによる安定化電源回路

下図は、少ない素子数で、数Ｖから数百Ｖまで使える、パワー MOS FETによる正電圧出力と負電圧出力の安定化電源回路です。　出力インピーダンスは、直流から数百ＫＨｚまで、０．１オーム以下にできます。　ドロップアウト電圧を下げたい場合はＣＲＤのアノードを、正電圧出力の場合は＋ＶINより高い電圧の所へ、負電圧出力の場合は−ＶINより低い電圧の所へ接続します。　各定数の目安は、以下のようになります。

　

　R1：数Ｋ〜数十ＫΩ

　R2：数百〜数ＫΩ（FETの発振防止用、通常１ＫΩ）

　R3：ZD1 に十分な電流を流すように決める（電流が少ないとZD1のノイズが大きくなる）

　R4、R5：R4+R5 が１ＭΩ以下（出力電圧設定、ノイズの影響が大きい場合は、小さくする）

　R6：1〜10Ω（省略可能）

　C1：数μF〜数十μF

　C2：0.01μF〜0.1μF（TR1の近くに実装）

　C3：100PF〜0.1μF（位相補償用で、方形波応答を見て決める）

　C4：0.1μF〜数十μF（ツェナー・ダイオードZD1のノイズ吸収用）

　C5：0.01μF程度

　

　V_OUT＝(V_ZD1＋V_BE2)×(R4＋R5)／R5

	CRD：1mA〜5mA 定電流ダイオード TR1：2SK タイプのパワー MOS FET （Ｎチャネル・エンハンスメント・モード） ZD2、ZD3：TR1のG-S間保護用 （TR1に内蔵している場合は不要） TR2：2SC タイプの小信号トランジスタ （ＮＰＮ型トランジスタ）
	CRD：1mA〜5mA 定電流ダイオード TR1：2SJ タイプのパワー MOS FET （Ｐチャネル・エンハンスメント・モード） ZD2、ZD3：TR1のG-S間保護用 （TR1に内蔵している場合は不要） TR2：2SA タイプの小信号トランジスタ （ＰＮＰ型トランジスタ）

　

　

■ トランジスタによる安定化電源回路

下図は、"パワー MOS FETによる安定化電源回路"のパワー MOS FETをダーリントン接続のトランジスタに置き換えた、正電圧出力と負電圧出力の安定化電源回路です。　出力インピーダンスは、直流から数百ＫＨｚまで、０．１オーム以下にできます。　ドロップアウト電圧を下げたい場合はＣＲＤのアノードを、正電圧出力の場合は＋ＶINより高い電圧の所へ、負電圧出力の場合は−ＶINより低い電圧の所へ接続します。　各定数の目安は、以下のようになります。

　

　R1：数Ｋ〜数十ＫΩ

　R2：ZD1 に十分な電流を流すように決める（電流が少ないとZD1のノイズが大きくなる）

　R3、R4：R3+R4 が１ＭΩ以下（出力電圧設定、ノイズの影響が大きい場合は、小さくする）

　R5：1〜10Ω（省略可能）

　C1：数μF〜数十μF

　C2：0.01μF〜0.1μF（TR1、TR2の近くに実装）

　C3：100PF〜0.1μF（位相補償用で、方形波応答を見て決める）

　C4：0.1μF〜数十μF（ツェナー・ダイオードZD1のノイズ吸収用）

　C5：0.01μF程度

　

　V_OUT＝(V_ZD1＋V_BE3)×(R3＋R4)／R4

	CRD：1mA〜5mA 定電流ダイオード TR2：2SC タイプのパワートランジスタ （ＮＰＮ型トランジスタ） TR1、TR3：2SC タイプの小信号トランジスタ （ＮＰＮ型トランジスタ）
	CRD：1mA〜5mA 定電流ダイオード TR2：2SA タイプのパワートランジスタ （ＰＮＰ型トランジスタ） TR1、TR3：2SA タイプの小信号トランジスタ （ＰＮＰ型トランジスタ）

　

　

■ パワー MOS FETによるリップルフィルタ

下図は、パワー MOS FETによる正電圧出力と負電圧出力のリップルフィルタです。　出力インピーダンスは、直流から数百ＫＨｚまで、数オーム以下にできます。　各定数の目安は、以下のようになります。

　

　R1、R2：１ＭΩ以下（出力電圧設定、ノイズの影響が大きい場合は、小さくする）

　R3：１ＭΩ以下（ノイズの影響が大きい場合は、小さくする）

　R4：数百〜数ＫΩ（FETの発振防止用、通常１ＫΩ）

　R5：1〜10Ω（省略可能）

　C1：0.01μF〜0.1μF（TR1の近くに実装）

　C2：0.01μF〜数十μF（R3×C2の時定数が0.1sec以上になるように設定）

　C3：0.01μF程度

　

　V_OUT＝V_IN×R2／(R1+R2)−V_GS1

	TR1：2SK タイプのパワー MOS FET （Ｎチャネル・エンハンスメント・モード） ZD1、ZD2：TR1のG-S間保護用 （TR1に内蔵している場合は不要）
	TR1：2SJ タイプのパワー MOS FET （Ｐチャネル・エンハンスメント・モード） ZD1、ZD2：TR1のG-S間保護用 （TR1に内蔵している場合は不要）

　

　

■ トランジスタによるリップルフィルタ

下図は、ダーリントン接続のトランジスタによるリップルフィルタです。　出力インピーダンスは、直流から数百ＫＨｚまで、数オーム以下にできます。　各定数の目安は、以下のようになります。

　

　R1、R2：数Ｋから数十ＫΩ以下（出力電圧設定）

　R3：1〜10Ω（省略可能）

　C1：0.01μF〜0.1μF（TR1、TR2の近くに実装）

　C2：数μF〜数百μF（(R1//R2)×C2の時定数が0.1sec以上になるように設定）

　C3：0.01μF程度

　

　V_OUT＝V_IN×R2／(R1+R2)−(V_BE1＋V_BE2)

	TR2：2SC タイプのパワートランジスタ （ＮＰＮ型トランジスタ） TR1：2SC タイプの小信号トランジスタ （ＮＰＮ型トランジスタ）
	TR2：2SA タイプのパワートランジスタ （ＰＮＰ型トランジスタ） TR1：2SA タイプの小信号トランジスタ （ＰＮＰ型トランジスタ）

　

　

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