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■ カスタムのアンプ その他
真空管パワーアンプ、真空管プリアンプ、真空管フォノイコライザの他に、MCヘッドアンプ、FETパワーアンプ、その他のカスタム品(特注品)を製作いたします。
●ミズナガのカスタムアンプ特徴など:
・お客様のご希望に添ったアンプを設計・製作
・アンプの外観デザインは可能な限りご要望にお答えします
・低残留ノイズを実現します
・高品質のトランス(タムラ、橋本など)を使用します
・高品質のケース(タカチなど)を使用します
・回路図と説明書を添付いたします goto.gif回路図例 goto.gif説明書例
●製作期間:ご注文から発送まで、2〜3か月となっております
●製作費用:お客様のご予算に合わせて設計、製作いたします
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Selector
セレクター
パワーアンプ5台、スピーカー5組のセレクター

●アンプ、スピーカーの切替は、個別ロータリースイッチによる
●信号はリレーにより切り替え
●タカチのアルミケースを使用

  寸法:W430×D250×H110

Selector

Selector
セレクター
6入力、3台のパワーアンプのセレクター

●入力はロータリースイッチにより切り替え
●パワーアンプの信号はリレーにより切り替え
●タカチのアルミケースを使用

  寸法:W330×D250×H110

Selector

Selector
セレクター
入力3系統、アンプ3台、スピーカー2組を切り替えるセレクター

●切り替えは信号用リレーとパワーリレーを使用
  寸法:W250×D200×H90

Selector

セレクター
後面


ヘッドホン・アダプター
真空管アンプに接続するヘッドホンアダプター

●真空管アンプとスピーカーの間に入れて使用
●ダンピングファクターを選択可能
●アルミダイキャストボックスを使用

  寸法:W95×D155×H60


Bass Controller
Bass Controller
パッシブ・BASS・コントローラー

●トーンコントロール機能のないプリアンプとパワーアンプの間に入れて使用
●ターンオーバー周波数を切り替え可能
●タカチのTD型アルミダイキャストボックスを使用

  挿入損失:13.5dB(パワーアンプ入力インピーダンスが100kΩの場合)
  BASSブースト量:
    ターンオーバー400Hz時 +9dB(20Hz)、+8dB(100Hz)、+6dB(200Hz)
    ターンオーバー150Hz時 +8.5dB(20Hz)、+4.5dB(100Hz)、+2dB(200Hz)
  寸法:W86×D140×H50


ATT
アッテネーター
入力切替え機能付のアッテネーター

●入力切替えはロータリースイッチを使用
●ボリュームには30mm径2連A型を使用
●タカチのアルミケースを使用
  寸法:W160×D160×H80

ATT
アッテネーター
後面


PS-UNIT
キーボード用電源ユニット
アナログキーボード用のアナログインターフェース付電源ユニット

●トロイダルトランスを使用して1Uサイズケースに収納
●タカチのアルミケースを使用

PS-UNIT
キーボード用電源ユニット
内部


MC-FET-AMP
MCカートリッジ用FETヘッドアンプ
電源部とアンプ部を別ケースとした、MCカートリッジ専用のFETヘッドアンプ

●低雑音増幅用コンプリメンタリFET(2SK/2SJタイプ)をゼロバイアスで動作させた単段増幅回路。
●タカチのアルミケースを使用

MC-FET-AMP
MCカートリッジ用FETヘッドアンプ
後面


Tube_FET_amp
Tube-FET パワーアンプ
真空管で増幅、FETソースフォロアで出力のパワーアンプ

●アンプ構成:E88CC-SRPP→パワーMOS-FET
  寸法:W430×D270×H130
Tube_FET_amp

Tube-FET パワーアンプ
内部(真空管周辺)

G0-FET
G0-FET
ゲイン0dBのFETパワーアンプ

●コンプリメンタリFET(2SK/2SJタイプ)を使用したソースフォロア回路
●600VAのRコア型トランスを使用
●タカチのHY型アルミケースを使用

  ゲイン:0dB
  出力:30W+30W
  寸法:W330×D270×H140
  重量:10kg

G0-FET
G0-FET
内部

G0-FET
G0-FET
後面パネル


G0-FET(3ch)
G0-FET 3ch仕様
ゲイン0dBのパワーアンプ G0-FET を2ch仕様から3ch仕様にカスタマイズ


G0-FET(3ch)
G0-FET 3ch仕様
(ボンネットを外したところ)


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